IRF530详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:458pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF530详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF5305L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF5305LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF5305PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF5305S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .68UH 34A SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA IC REG BUCK 3.3V 5A TO263-7
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- DIP E-Switch SW DIP LOW PRO 10 POS GOLD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.033UF 100V 10% RADIAL
- 未定义的系列 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DGTL 16-SSOP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TXRX ESD RS-485/422 LP 14-SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 5A TO263-7
- 底座安装电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向,盒 RES 12 OHM 12.5W 1% WW ALM
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.033UF 100V 10% RADIAL
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485/422 3.3V HS 8-SOIC
- 接口 - 专用 Texas Instruments 36-WFBGA IC MOBILE I/O COMPAN 36MICRARRAY
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments TO-220-7 成形引线 IC REG BUCK ADJ 5A TO220-7