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IRF3708详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3708L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3708PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3708S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3708SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3708STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFR220TRRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
HLMP-AL62-UY0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL MINI 5MM 590NM AMBER
IRF3707ZSTRRP
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
HFBR-4402
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
IXFN62N80Q3
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
ISL88013IH526Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
CY7C1360C-200BGC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-73.728
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 73.728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRFR224TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
IXFN64N50PD2
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
HFBR-4402Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH529Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
IRFR2405PBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
CY7C1360C-200BGCT
存储器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-77.76
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 77.76 MHZ 3.3V HCMOS SMD

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