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IRF2907ZSTRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

IRF2907ZSTRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：Digi-Reel®

IRF2907ZSTRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：剪切带 (CT)

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IRF2907ZSTRL7PP 上海传泽电子科技有限公司 13381567868
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IRF2907ZSTRL7PP 深圳市芯柏然科技有限公司 0755-82533534
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IRF2907ZSTRL7PP 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
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IRF2907ZSTRL7PP 北京显周科技有限公司 13910052844（微
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PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG BUCK 3.3V 0.5A 8SOIC
IDT79RV4700-100GH
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LM4895LD
线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 1.4W MONO 10LLP
IPL1-102-01-S-D-RA-K
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