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IRF1405ZS-7P 全国供应商、价格、PDF资料

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IRF1405ZS-7P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 88A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
功率_最大:230W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装:D2PAK(7-Lead)
包装:管件

IRF1405ZS-7PPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 88A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
功率_最大:230W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装:D2PAK(7-Lead)
包装:管件

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