添加收藏夹 设为首页 服务热线:0755-83030533  13751165337 网站地图|企业名录|IC详细资料|热门库存|Pdf资料

51电子网Log图片

IC供应IC求购PDF资料非IC供应

热门搜索:
XC2V4000-5FF1152I
XC2S100-3FG256I
XC2S100-2FG256I
XC2S100-1FG256I
XAM3359ZCZ
WNM2306-3/TR
WM8960CGEFL/RV
WGCE5039
WG82574L
WAC-186-B-X
WAC-185-B-X
STTH1R02ZFY
TFD312S
T4M10F-800F
T40SW-A2
T30-P-A3
TPD4F003DQDR
TPD4E1U06DCKR
TPD4E1U06DBVR
TPD4E05U06DQAR
ZMY7V5-GS18
ZLLS2000TA
Z0409NF
YX3P115B
YAS529-PZE2
XC2S100-3FG256C
XC2S100-2FG256C
XC2S100-1FG256I
XC2C256-7TQG144C
XAM3359ZCZ
WGCE5039
WG82574L
WAC-186-B-X
WAC-185-B-X
STTH1R02ZFY
TDA7705
TDA7569BLVPFTR
TDA75610LV
TDA7294V
TDA7269

51电子网联系电话:+86-0755-83030533

当前位置:网站首页 » 库存索引166 » 型号"IRF1010EZ"的供应信息

IRF1010EZ 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

IRF1010EZ详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRF1010EZL详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件

IRF1010EZLPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件

IRF1010EZPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRF1010EZS详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

IRF1010EZSPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

IRF1010EZ供应商

查看更多IRF1010EZ的供应商
把51电子网设为首页      把51电子网加入收藏夹
关于我们 | 会员收费标准 | 广告服务 | 付款方式 | 友情链接 | 网站地图 | 联系我们 | 免责声明
库存上载:service@51dzw.com   
版权所有:51dzw.COM 粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn) 服务热线(深圳):13751165337 +86-0755-83030533 传真:0755-83035052 投诉电话:0755-83030533