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IRF1010EZ 全国供应商、价格、PDF资料

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IRF1010EZ详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRF1010EZL详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件

IRF1010EZLPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件

IRF1010EZPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRF1010EZS详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

IRF1010EZSPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 51A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2810pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

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