IPW65R660CFD 全国供应商、价格、PDF资料
IPW65R660CFD详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247
- 系列：CoolMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：700V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：660 毫欧 @ 2.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：615pF @ 100V
- 功率_最大：62.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：PG-TO247-3
- 包装：管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 1280LUTS 80I/O 100TQFP
- RF配件 Laird Technologies IAS 0806（2016 公制） ACCY BRACKET 3/4" RT ANGLE 45DEG
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- 功率，高于 2 安 TE Connectivity 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 240V
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
- RF配件 Laird Technologies IAS 0806（2016 公制） ACCY BRACKET 3/4" RT ANGLE 90DEG
- 嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC PLD 1280LUTS 108I/O 144TQFP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AMP DUAL 8-SOP
- 固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 39NH 0201
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1206
0755-88291559 
0755-82533534 
075584505750 
0755-83051566 
18927479189 
0755-83747144 
13910052844（微 
0755-22929859 
0755-/8321846 
0755-83777708 
0755-23919407 
18938855484 
