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IPI120N04S4-02详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 毫欧 @ 100A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：134nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：10740pF @ 25V; 功率_最大：158W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：PG-TO262-3; 包装：管件

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矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
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IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 600V 50A TO-3P
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FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
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