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IPG20N06S3L-23详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

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