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IPB80N06S2-07 全国供应商、价格、PDF资料

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IPB80N06S2-07详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 68A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 180µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3400pF @ 25V
功率_最大:250W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:带卷 (TR)

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