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IPB80N03S4L-02详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9750pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

IPB80N03S4L-02详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9750pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：Digi-Reel®

IPB80N03S4L-02详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9750pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：剪切带 (CT)

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