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IPB200N15N3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1820pF @ 75V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-2; 包装：Digi-Reel®

IPB200N15N3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1820pF @ 75V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-2; 包装：带卷 (TR)

IPB200N15N3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1820pF @ 75V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-2; 包装：剪切带 (CT)

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矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10H/AE10G/HDM10H
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IF-C-LG32
光纤 Industrial Fiberoptics CABLE MULTIFIBER LT 265UMX32 1M
IR2235SPBF
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-SOIC
DTS24W15-97SA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 12POS JAM NUT W/SKT
DXP18BN7514TL
平衡-不平衡变压器 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） BALUN FILM 75 OHM 0603
H6MMH-1406G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM14H/AE14G/HDM14H
H3AAT-10104-A4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1506TR/A2015A/H1506TR 4"

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