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IPB180N04S4-H0详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 毫欧 @ 100A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 180µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：225nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：17940pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：PG-TO263-7-3; 包装：带卷 (TR)

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IDT70T24L25PFI
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时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VIDEO CLK SYNTHESIZER 16-SOIC
LM555CMM
时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 Texas Instruments * IC OSC MONO TIMING 8-MSOP
IDT74FCT163374APVG8
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PMIC - 电压基准 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC VREF SHUNT PREC 2.5V TO-92-3
IDT72V201L15JI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC FIFO SYNC 256X9 15NS 32-PLCC

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