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IPB180N03S4L-H0详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫欧 @ 100A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：23000pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：PG-TO263-7-3; 包装：带卷 (TR)

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逻辑 - 变换器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC BIDIRECT TRSCVR 16BIT 48TVSOP
IPB107N20NA
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
LM336BMX-5.0/NOPB
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IDT70T15L25BFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LFBGA IC SRAM 72KBIT 25NS 100FBGA
LM34DM/NOPB
溫度 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SENSOR TEMP PREC FAHR 8-SOIC
LM5119PSQ/NOPB
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 32-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM CM 32-LLP
ICS1493K-17LF
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK SYNTHESIZER 20-VFQFPN
IDT72V05L25JI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC FIFO ASYNCH 4096X18 32PLCC
LM336BZ-2.5/LFT7
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC VREF SHUNT 2.5V TO92-3
LM34DMX
溫度 Texas Instruments IC SENSOR TEMP PREC FAHR 8-SOIC
IDT70T15L25PF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP
LM5134ASD/NOPB
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Texas Instruments IC GATE DVR 7.6A LOW SIDE 6WQFN
ICS1523MLFT
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VIDEO CLK SYNTHESIZER 24-SOIC
IDT72V05L35J8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC FIFO ASYNCH 4096X18 32PLCC

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