当前位置:网站首页 » 库存索引222 » 型号"IMD16AT108"的供应信息

IMD16AT108 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

IMD16AT108详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):100k,2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V / 82 @ 50mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA / 300mV @ 100µA,1mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:SMT6
包装:带卷 (TR)

IMD16AT108详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):100k,2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V / 82 @ 50mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA / 300mV @ 100µA,1mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:SMT6
包装:Digi-Reel®

IMD16AT108详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):100k,2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V / 82 @ 50mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA / 300mV @ 100µA,1mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:SMT6
包装:剪切带 (CT)

IMD16AT108供应商

查看更多IMD16AT108的供应商