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IHSM4825RE8R2L详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR POWER 8.2UH 3.3A SMD; 系列：IHSM-4825; 制造商：Vishay Dale; 类型：铁氧体芯体; 电感：8.2µH; 电流：; 额定电流：3.3A; 电流_饱和值：1.5A; 容差：±15%; 材料_磁芯：铁氧体; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 63 毫欧; 不同频率时的Q值：-; 频率_自谐振：-; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 封装/外壳：非标准; 大小/尺寸：0.540" L x 0.250" W x 0.225" H（13.72mm x 6.35mm x 5.72mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR)

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GRM31MR61C105KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 10% X5R 1206
IDT70V37L15PF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP
IHSM4825RE1R0L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 1.0UH 8.6A SMD
IMC1812EB2R7K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 10% 1812
LGY2A222MELB40
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 100V 20% SNAP
DS1135Z-30+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 30NS 8-SOIC
DTS120166UDC-P14N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1660MA P14 NEG C
GRM31MR61C105KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 10% X5R 1206
IDT70V37L20PFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IMC1812EB391J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 390UH 5% 1812
DS1135Z-6
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 6NS 8-SOIC
LGY2A222MELC30
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 100V 20% SNAP
DTS120166UDC-P14P
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1660MA P14 POS C
GRM31MR71A225KA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 1206
IDT70V5378S133BC8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 576KBIT 133MHZ 256BGA