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IDT71V67903S80BQ8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：80ns; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：带卷 (TR)

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GRM1556P1H8R0DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8PF 50V P2H 0402
GRM1555C1H6R9CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6.9PF 50V NP0 0402
ERJ-14NF3160U
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES 316 OHM 1/2W 1% 1210 SMD
GRM1556P1H8R2DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V P2H 0402
IDT71V67903S80BQI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA
GRM1555C1H751GA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 750PF 50V 2% NP0 0402

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