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IDT71V65903S85PFI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步 ZBT; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：85ns; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：100-LQFP; 供应商器件封装：100-TQFP（14x14）; 包装：托盘

IDT71V65903S85PFI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步 ZBT; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：85ns; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：100-LQFP; 供应商器件封装：100-TQFP（14x14）; 包装：带卷 (TR)

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GRM1555C1H9R5WZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.5PF 50V NP0 0402
GRM1555C1H5R2DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.2PF 50V NP0 0402
GRM1555C1H9R6CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.6PF 50V NP0 0402
GRM1555C1H5R3CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.3PF 50V NP0 0402
ERJ-14NF24R3U
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES 24.3 OHM 1/2W 1% 1210 SMD
IDT71V65903S85BGG8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
H3DKH-2036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR20H/AE20M/HPK20H
GRM1555C1H9R7BA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.7PF 50V NP0 0402
GRM1555C1H5R4DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.4PF 50V NP0 0402
H3DKH-2636M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26H/AE26M/HPK26H
GRM1555C1H5R4DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.4PF 50V NP0 0402
ERJ-14NF2553U
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES 255K OHM 1/2W 1% 1210 SMD
GRM1555C1H9R8BZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.8PF 50V NP0 0402
GRM1555C1H5R5CA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.5PF 50V NP0 0402
IDT71V67602S133PFGI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP

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