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» 型号"IDT71V65903S85BQ8"的供应信息
IDT71V65903S85BQ8 全国供应商、价格、PDF资料
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IDT71V65903S85BQ8详细规格
类别:存储器
描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA
系列:-
制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 同步 ZBT
存储容量:9M(512K x 18)
速度:85ns
接口:并联
电压_电源:3.135 V ~ 3.465 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:165-TBGA
供应商器件封装:165-CABGA(13x15)
包装:带卷 (TR)
IDT71V65903S85BQ8供应商
IDT71V65903S85BQ8
北京显周科技有限公司
13910052844(微
IDT71V65903S85BQ8
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
IDT71V65903S85BQ8
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83219286
查看更多IDT71V65903S85BQ8的供应商
ESR25JZPJ474
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 470K OHM 1/2W 5% 1210 SMD
ESC08DREN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND
IDT71V65903S80PFI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP
ICS853013AMLF
时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK BUFFER 1:3 2GHZ 20-TSSOP
H3CCH-3036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC30H/AE30M/HKC30H
CRCW20101R47FNTF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.47 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ESR25JZPJ512
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 5.1K OHM 1/2W 5% 1210 SMD
CRCW20101R50JNEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.5 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
ESR25JZPJ682
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 6.8K OHM 1/2W 5% 1210 SMD
ICS853052AMLF
时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLOCK MULTIPLEXER 2:1 8-SOIC
H3CCH-3418M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC34H/AE34M/HKC34H
CRCW20101R50JNEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.5 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
ESR25JZPJ821
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 820 OHM 1/2W 5% 1210 SMD
CRCW20101R54FKEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.54 OHM 1W 1% 2010 SMD
ESR25JZPJ910
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 91 OHM 1/2W 5% 1210 SMD
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