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» 型号"IDT71V65603S150BQ8"的供应信息
IDT71V65603S150BQ8 全国供应商、价格、PDF资料
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IDT71V65603S150BQ8详细规格
类别:存储器
描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA
系列:-
制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 同步 ZBT
存储容量:9M(256K x 36)
速度:150MHz
接口:并联
电压_电源:3.135 V ~ 3.465 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:165-TBGA
供应商器件封装:165-CABGA(13x15)
包装:带卷 (TR)
IDT71V65603S150BQ8供应商
IDT71V65603S150BQ8
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83219286
IDT71V65603S150BQ8
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
IDT71V65603S150BQ8
北京显周科技有限公司
13910052844(微
IDT71V65603S150BQ8
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多IDT71V65603S150BQ8的供应商
H3BXT-10106-A8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048A/X 6"
ICS8440258AK-46LF
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNTHESIZER 8OUTPUT 32-VFQFPN
CRCW20101K02FKTF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.02K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ221
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 220 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW20101K10FKEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.10K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ221
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 220 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ESC05DREF-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EXTEND
ICS8440258AK-46LFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNTHESIZER 8OUTPUT 32-VFQFPN
H3BXT-10106-N8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048N/X 6"
ESR18EZPJ223
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 22K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW20101K10JNEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.1K OHM 1W 5% 2010 SMD
ESR18EZPJ223
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 22K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ESC05DRES
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
H3BXT-10106-R6-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049R/X 6"
ICS844031BGI-01LFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK GEN ETHERNET 8TSSOP
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