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» 型号"IDT71V65603S133BQG8"的供应信息
IDT71V65603S133BQG8 全国供应商、价格、PDF资料
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IDT71V65603S133BQG8详细规格
类别:存储器
描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA
系列:-
制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 同步 ZBT
存储容量:9M(256K x 36)
速度:133MHz
接口:并联
电压_电源:3.135 V ~ 3.465 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:165-TBGA
供应商器件封装:165-CABGA(13x15)
包装:带卷 (TR)
IDT71V65603S133BQG8供应商
IDT71V65603S133BQG8
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83219286
IDT71V65603S133BQG8
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
IDT71V65603S133BQG8
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多IDT71V65603S133BQG8的供应商
ICS844001AGILFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK GEN FIBRE CHAN 8-TSSOP
CRCW2010196RFKEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 196 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ182
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.8K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
IDT71V65603S100BQG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA
ESBM16200
接线板 - 线至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 16POS 3.81MM R/A
CRCW2010196RFKEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 196 OHM 1W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ201
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 200 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
H3BXT-10105-R4-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015R/X 5"
ICS844001AGLF
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK GEN FIBRE LVDS 8-TSSOP
ESBM19100
接线板 - 线至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 19POS 3.5MM R/A BK
ESR18EZPJ202
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.0K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW201019R6FKEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 19.6 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ202
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.0K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ICS844008BYI-15LF
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC SYNTHESIZER 8LVDS 32-LQFP
H3BXT-10105-R6-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049R/X 5"
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