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IDT71V35761S200BQG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步; 存储容量：4.5M（128K x 36）; 速度：200MHz; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：带卷 (TR)

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ISC1812ER1R8J
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.8UH 5% 1812
ISD4004-08MSYI
接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 8MIN 28-SOIC
CW00568R00JE73
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 68 OHM 6.5W 5% WW AXIAL
IDT70V3319S166BFG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA
IDT71V35761S183BQGI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA
FKN7WSFR-91-4R7
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW 4.7 OHM 7W 1% AX
FM1608B-SGTR
存储器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
ISC1812ER220J
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 22UH 5% 1812
ISD4004-10MSI
接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PL 10MIN IN 28SOIC
IDT70V3379S4BC8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA
FKN7WSFR-91-91R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW 91 OHM 7W 1% AX
FM16W08-SG
存储器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
ISC1812ER270K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 27UH 10% 1812
ISD4004-10MSYI
接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 10MIN 28-SOIC
CW00575R00JS73
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 75 OHM 6.5W 5% WW AXIAL