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IDT70V5388S200BC8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 四端口，同步; 存储容量：1.125M（64K x 18）; 速度：200MHz; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：带卷 (TR)

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IHSM5832ER222L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 2200UH .22A SMD
DSP1A-DC9V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 2-SMD RELAY GENERAL PURPOSE SPST 8A 9V
IDT70V5388S166BGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 272-BBGA IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA
IMC1812EB560J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56UH 5% 1812
GS1M-TP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA DIODE STD REC 1A 1000V DO214AC
DS12
DIP APEM Components, LLC 14-TDFN STANDARD DIP SWITCH
LGY2D271MELA
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 200V 20% SNAP
GRM31MR71C155KA35L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1.5UF 16V 10% X7R 1206
DSP1A-L-DC6V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 2-SMD RELAY GENERAL PURPOSE SPST 8A 6V
GS-2012-0000
Slide Switches CW Industries DO-214AC，SMA SWITCH SLIDE SPDT PNL MNT
IMC1812EB56NM
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56NH 20% 1812
DS1-20-0001
固定式 Schurter Inc 径向 DS STORAGE CHOKE 0.63A
LGY2D331MELA
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 200V 20% SNAP
IDT70V631S10BC
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA
GRM31MR71C155KA35L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1.5UF 16V 10% X7R 1206