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IDT70V3589S166DRG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208QFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：2M（64K x 36）; 速度：166MHz; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：208-BFQFP; 供应商器件封装：208-PQFP（28x28）; 包装：带卷 (TR)

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DSK-3R3H204T614-H2L
双电层，超级电容器 Elna America 币形，宽型端子 - 反侧 CAP SUPER 0.2F 3.3V COIN SMD
GRM31MF51E475ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1206
IDT70V3589S166BCG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
DS1135U-10+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC DELAY LINE 10NS 8-USOP
LGY1K152MELZ35
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 80V 20% SNAP
DTS120125UDC-P12P
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1250MA P12 POS C
IMC1812BNR68K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 680NH 10% 1812
IHSM4825PJ681L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 680UH 0.28A SMD
DSK-3R3H224U-HL
双电层，超级电容器 Elna America 币形，宽型端子 - 反侧 CAP SUPER 0.22F 3.3V COIN SMD
LGY1K332MELA45
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 80V 20% SNAP
DS1135U-12+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC DELAY LINE 12NS 8-USOP
DTS120125UDC-P13/RP
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1250MA P13 RA POS
IMC1812EB102K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
DSL01-008SC5
TVS - 其它复合 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 TVS TRANSIL ARRAY SOT-23-5L
IHSM4825RE100K
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 3.1A SMD