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» 型号"IDT70V3319S166BC8"的供应信息
IDT70V3319S166BC8 全国供应商、价格、PDF资料
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IDT70V3319S166BC8详细规格
类别:存储器
描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA
系列:-
制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 双端口,同步
存储容量:4.5M(256K x 18)
速度:166MHz
接口:并联
电压_电源:3.15 V ~ 3.45 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:256-LBGA
供应商器件封装:256-CABGA(17x17)
包装:带卷 (TR)
IDT70V3319S166BC8供应商
IDT70V3319S166BC8
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83219286
IDT70V3319S166BC8
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
IDT70V3319S166BC8
中科航芯(深圳)科技有限公司
18927479189
IDT70V3319S166BC8
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
IDT70V3319S166BC8
深圳市昌和盛利电子有限公司
0755-83679110
IDT70V3319S166BC8
北京显周科技有限公司
13910052844(微
IDT70V3319S166BC8
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多IDT70V3319S166BC8的供应商
DTS060250UDC-P12/RN
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG
GRM31CR72E333KW03L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
IDT70V3319S133BFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA
IHSM4825EB6R8L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD
DS1100Z-300+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 300NS 8-SOIC
LGW2D561MELZ35
电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 560UF 200V 20% SNAP
IMC1210SYR12J
固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 120NH 5% 1210
DTS060250UDC-P5/RN
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2500MA P5 RA NEG
DSF050J394
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.39UF 50VDC RADIAL
GRM31M5C1H563JA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206
LGW2D681MELA35
电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP
DS1100Z-40/T&R
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS
IMC1210SYR18K
固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 180NH 10% 1210
DSF050J473
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL
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