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IDT70T3519S133DRI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：9M（256K x 36）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：2.4 V ~ 2.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：208-BFQFP; 供应商器件封装：208-PQFP（28x28）; 包装：托盘

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GRM0335C1H1R5CD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 0201
ISL61852ACRZ-T
PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
IDT70T3509MS133BPI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-BGA IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
IRG4BC30F-STRL
IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK
H5BBT-10106-A0-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040A/H2730TR 6"
H7VXH-3710G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMU37H/AE37G/X
ISL61852EIRZ-T
PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
GRM0335C1H1R7BD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.7PF 50V NP0 0201
ISC1210EB220K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1210
IRG4BC30KDSTRLP
IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT ULT FAST 600V 28A D2PAK
H7WWH-1506G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HFU15H/AE15G/HFU15H
H5BBT-10106-A9-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064A/H2728TR 6"
ISL61852GIRZ-T
PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
GRM0335C1H1R7CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.7PF 50V NP0 0201
ISC1210EB22NM
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 22NH 20% 1210