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IDT70T3509MS133BP详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：36M（1M x 36）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：2.4 V ~ 2.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-BGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

IDT70T3509MS133BPG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：36M（1M x 36）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：2.4 V ~ 2.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-BGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

IDT70T3509MS133BPI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：36M（1M x 36）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：2.4 V ~ 2.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：256-BGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

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H5BBT-10106-A0-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040A/H2730TR 6"
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陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.7PF 50V NP0 0201
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固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1210