IDB30E120详细规格
- 类别：单二极管/整流器
- 描述：DIODE 1200V 50A TO263-3
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 二极管类型：标准
- 电压_333Vr444（最大）：1200V（1.2kV）
- 电流_平均整流333Io444：50A（DC）
- 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：2.15V @ 30A
- 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间333trr444：243ns
- 电流_在Vr时反向漏电：100µA @ 1200V
- 电容0a0VrwwwwF：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：PG-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 16V 10% X7R 0805
- 单二极管/整流器 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE 600V 41A TO263-3-2
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.39UF 6.3V 10% X5R 0603
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SSOP
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC 3DRVR/5RCVR RS232 3V 28-TSSOP
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 3V 18-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 0805
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SOIC（0.345"，8.77mm 宽） IC FIFO ASYNCH 1KX9 12NS 28SOIC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.27UF 25V 10% X7R 0805
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 3V 20-TSSOP
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC 3DRVR/5RCVR RS232 3V 28-TSSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SOIC（0.345"，8.77mm 宽） IC FIFO ASYNCH 1KX9 12NS 28SOIC
13510131896 
0755-88291559 
0755-82170267 
028-87781882 
15821228847 / 
010-62962871、 
0755-89697985 
0755-23915992 
0755-83264115 
0755-23613962 
0755-82799659 
0755-82865294 
13311626995 
0755-82561519 
18922805453 
