HUFA76609D3 全国供应商、价格、PDF资料
HUFA76609D3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:管件
HUFA76609D3S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
HUFA76609D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
HUFA76609D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
HUFA76609D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
HUFA76609D3ST_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:425pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 30PF 100V 5% NP0 0603
- LED - 高亮度,电源 OSRAM Opto Semiconductors Inc PLCC-4 LED TOPLED ADV DEEP BLUE 4PLCC
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0805
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc PWRSUP IND MEDICAL 24V 648W 27A
- 电池组 FDK America Inc BATT PACK 4.8V 4100MAH NIMH
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 300PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0805
- LED - 高亮度,电源 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,鸥翼型 LED DRAGON PLUS BLUE 455NM SMD
- 按钮 APEM Components, LLC 16-VFQFN 裸露焊盘 SWITCH PUSHBUTTON SPDT 2A 24V
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc PWR SUP IND 5V 120A SNG OUTPUT
- 电池组 FDK America Inc BATT PACK 12.0V NIMH
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 0805
- LED - 高亮度,电源 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,鸥翼型 LED GOLDEN DRAGON DEEP BLUE SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 300PF 100V 5% NP0 0603