HUFA76409D3S 全国供应商、价格、PDF资料
HUFA76409D3S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:485pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
HUFA76409D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:485pF @ 25V
- 功率_最大:49W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 9.3PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 9.4PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 3.3 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 3.9 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 光学 - LED - 反射器 Ledil 1210(3225 公制) REFLECTOR NICHIA MED 74MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 5.6 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 6.8 OHM 16W 1% 2512 SMD
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc 1812(4532 公制) VARISTOR 50VRMS 1812 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.8PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK