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HUF75321D3S 全国供应商、价格、PDF资料

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HUF75321D3S详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
系列:UltraFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
功率_最大:93W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件

HUF75321D3ST详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
系列:UltraFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
功率_最大:93W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:剪切带 (CT)

HUF75321D3ST详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
系列:UltraFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
功率_最大:93W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:Digi-Reel®

HUF75321D3ST详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
系列:UltraFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
功率_最大:93W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:带卷 (TR)

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