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HCT802TX 全国供应商、价格、PDF资料

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HCT802TX详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
系列:-
制造商:TT Electronics/Optek Technology
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:90V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,无引线
供应商设备封装:6-SMD
包装:散装

HCT802TXV详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
系列:-
制造商:TT Electronics/Optek Technology
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:90V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,无引线
供应商设备封装:6-SMD
包装:散装

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