HC9-3R3-R详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR HIGH CURRENT 3.3UH
- 系列:HC9
- 制造商:Cooper Bussmann
- 类型:铁粉芯
- 电感:3.3µH
- 电流:
- 额定电流:14.3A
- 电流_饱和值:22A
- 容差:±15%
- 材料_磁芯:-
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 4.87 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-40°C ~ 155°C
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.555" L x 0.515" W x 0.295" H(14.10mm x 13.10mm x 7.50mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
HC9-3R3-R详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR HIGH CURRENT 3.3UH
- 系列:HC9
- 制造商:Cooper Bussmann
- 类型:铁粉芯
- 电感:3.3µH
- 电流:
- 额定电流:14.3A
- 电流_饱和值:22A
- 容差:±15%
- 材料_磁芯:-
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 4.87 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-40°C ~ 155°C
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.555" L x 0.515" W x 0.295" H(14.10mm x 13.10mm x 7.50mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
HC9-3R3-R详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR HIGH CURRENT 3.3UH
- 系列:HC9
- 制造商:Cooper Bussmann
- 类型:铁粉芯
- 电感:3.3µH
- 电流:
- 额定电流:14.3A
- 电流_饱和值:22A
- 容差:±15%
- 材料_磁芯:-
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 4.87 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-40°C ~ 155°C
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.555" L x 0.515" W x 0.295" H(14.10mm x 13.10mm x 7.50mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 230A 200V PLUS247
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1MBIT 12NS 100TQFP
- PMIC - 监控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLT MONITR SGL 2.32V SOT23-5
- FET - 单 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 32768X18 LP 20NS 64QFP
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
- 线性 - 视频处理 Intersil 128-BFQFP IC TRPL VIDEO DIGITIZER 128-MQFP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE PT PROGRAMMING
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
- PMIC - 监控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 65536X18 10NS 64TQFP
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CONNECTING CABLE 2M
- 线性 - 视频处理 Intersil 128-BFQFP IC TRPL VIDEO DIGITIZER 128-MQFP
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247