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» 型号"HBZ102MBBCRBKR"的供应信息
HBZ102MBBCRBKR 全国供应商、价格、PDF资料
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HBZ102MBBCRBKR详细规格
类别:陶瓷
描述:CAP CER 1000PF 2KV 20% RADIAL
系列:H
制造商:Vishay BC Components
电容:1000pF
电压_额定:2000V(2kV)
容差:±20%
温度系数:-
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 85°C
应用:通用
等级:-
封装/外壳:径向,圆盘
大小/尺寸:0.354" 直径(9.00mm)
高度_安装(最大值):0.472"(12.00mm)
厚度:
厚度(最大值):-
引线间距:0.295"(7.50mm)
特性:高电压
包装:散装
故障率:
HBZ102MBBCRBKR详细规格
类别:陶瓷
描述:CAP CER 1000PF 2KV 20% RADIAL
系列:H
制造商:Vishay BC Components
电容:1000pF
电压_额定:2000V(2kV)
容差:±20%
温度系数:-
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 85°C
应用:通用
额定值:
封装/外壳:径向,圆盘
尺寸/尺寸:
高度_座高(最大):
厚度(最大):
引线间隔:
特点:
包装:散装
HBZ102MBBCRBKR供应商
HBZ102MBBCRBKR
深圳市同亨电子有限公司
【0755-2381688
HBZ102MBBCRBKR
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多HBZ102MBBCRBKR的供应商
H2BXG-10104-G8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048G/X 4"
IRF7811A
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
HBZ102KBBCD0KR
陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 1000PF 2KV 10% RADIAL
IRF6620TR1
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
GP1S196HCZSF
光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Sharp Microelectronics 4-SMD SENSOR OPTO SLOT 1.1MM TRANS SMD
IPP023NE7N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 120A TO220
FGG.0B.306.CLAD42Z
连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 6CTS C-COL
HBZ102KBBTARKR
陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 1000PF 2KV 10% RADIAL
IRF7811ATRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
IRF6620TR1PBF
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
GP1S25
光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Sharp Microelectronics 4-SMD PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.6MM PCB
FGG.0B.306.CLAD52Z
连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 6CTS C-COL
IPP045N10N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
HBZ151KBBCLAKR
陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 150PF 2KV 10% RADIAL
IRF7820TRPBF
FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
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