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» 型号"H4BXT-10112-V1-ND"的供应信息
H4BXT-10112-V1-ND 全国供应商、价格、PDF资料
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H4BXT-10112-V1-ND详细规格
类别:跳线,预压接线
描述:JUMPER-H9992TR/A3047V/X 12"
系列:DF13
制造商:Hirose Electric Co Ltd
接触端:插口至线缆(圆形)
长度:12.0"(304.8mm)
线规:30 AWG
触头镀层:锡
颜色:紫
排数:1
导体数:1
触头镀层厚度:-
H4BXT-10112-V1-ND供应商
H4BXT-10112-V1-ND
北京人上科技有限公司
13910052844(微
H4BXT-10112-V1-ND
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多H4BXT-10112-V1-ND的供应商
HAT2141H-EL-E
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
H4BXT-10110-Y8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048Y/X 10"
GJM0335C1E2R4CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.4PF 25V NP0 0201
H4BXT-10112-G1-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047G/X 12"
HAT2160H-EL-E
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
GJM0335C1E2R5BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.5PF 25V NP0 0201
H4BXT-10112-R1-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047R/X 12"
HAT2171H
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
GJM0335C1E2R8CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.8PF 25V NP0 0201
GJM0335C1E2R9BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.9PF 25V NP0 0201
HAT2265H-EL-E
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK
H4BXT-10112-W8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048W/X 12"
H4CFM2DI
光电(太阳能板) Amphenol Industrial Operations CONN H4 FEMALE HALF 14AWG/2.5MM2
HAU150KBAUARKR
陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 15PF 1KV 10% RADIAL
GJM0335C1E2R9WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.9PF 25V NP0 0201
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