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GWM120-0075P3-SL详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：6 N-沟道（3 相桥）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：118A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：17-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：SMD; 包装：管件

GWM120-0075P3-SL SAM详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：6 N-沟道（3 相桥）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：118A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：17-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：SMD; 包装：管件

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