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GRM219F51H105ZA01J详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 1UF 50V Y5V 0805; 系列：GRM; 制造商：Murata Electronics North America; 电容：1.0µF; 电压_额定：50V; 容差：-20%，+80%; 温度系数：Y5V（F）; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-30°C ~ 85°C; 应用：通用; 等级：-; 封装/外壳：0805（2012 公制）; 大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）; 高度_安装（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.037"（0.95mm）; 引线间距：-; 特性：-; 包装：带卷 (TR); 故障率：

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陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.47UF 16V Y5V 0603
ICS9LVRS394CKLF
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC PC MAIN CLK LOW VOLT 32VFQFPN
IDT71V3559S80PF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
GRM219F51C105ZA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 16V Y5V 0805
ICL3225CP
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC 2DRVR/2RCVR RS232 3V 20-DIP
ICE65L04F-LCB196I
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Lattice Semiconductor Corporation 196-VFBGA，CSPBGA FPGA LP 3520LUTS 1/1.2V 196CBGA
IDT23S09-1HDC
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFF ZD HI DRV 16-SOIC
IDT71V67603S150BGI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA
GRM188F51E104ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0603
IDT71V3559S80PFG8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
ICESABCB121-01
适配器 Lattice Semiconductor Corporation 284-VFBGA，CSPBGA ADAPTER SOCKET ICEPROG CB121
ICL3225ECP
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC 2DRVR/2RCVR RS232 3V 20-DIP
IDT71V67603S150BQ
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA
IDT23S09-1HDCG
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFF ZD HI DRV 16-SOIC
GRM188F51E104ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0603

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