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VND5050JTR-E
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当前位置:网站首页 » 库存索引254 » 型号"GF1M"的供应信息

GF1M 全国供应商、价格、PDF资料

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GF1M详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:DIODE 1000V 1A DO214AC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:15pF @ 4V,1MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214AC,SMA
供应商设备封装:DO-214AC(SMA)
包装:Digi-Reel®

GF1M详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:DIODE 1000V 1A DO214AC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:15pF @ 4V,1MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214AC,SMA
供应商设备封装:DO-214AC(SMA)
包装:剪切带 (CT)

GF1M详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:DIODE 1000V 1A DO214AC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:15pF @ 4V,1MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214AC,SMA
供应商设备封装:DO-214AC(SMA)
包装:带卷 (TR)

GF1M/1754详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:RECTIFIER 1000V 1A DO214BA SMD
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214BA
供应商设备封装:DO-214BA
包装:带卷 (TR)

GF1M-E3/5CA详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:DIODE 1A 1000V STD DO-214BA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214BA
供应商设备封装:DO-214BA
包装:带卷 (TR)

GF1M-E3/67A详细规格

类别:单二极管/整流器
描述:DIODE 1A 1KV STD DO-214BA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二极管类型:标准
电压_333Vr444(最大):1000V(1kV)
电流_平均整流333Io444:1A
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间333trr444:2µs
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1000V
电容0a0VrwwwwF:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214BA
供应商设备封装:DO-214BA
包装:剪切带 (CT)

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