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当前位置:网站首页 » 库存索引120 » 型号"FZT489"的供应信息

FZT489 全国供应商、价格、PDF资料

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FZT489TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN MED 30V SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1A,2V
功率_最大:2W
频率_转换:150MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

FZT489TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN MED 30V SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1A,2V
功率_最大:2W
频率_转换:150MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

FZT489TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN MED 30V SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1A,2V
功率_最大:2W
频率_转换:150MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

FZT489TC详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN MED PWR SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1A,2V
功率_最大:2W
频率_转换:150MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

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