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FQPF6N80 全国供应商、价格、PDF资料

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FQPF6N80详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.95 欧姆 @ 1.65A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:51W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

FQPF6N80C详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 欧姆 @ 2.75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1310pF @ 25V
功率_最大:51W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

FQPF6N80CT详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 欧姆 @ 2.75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1310pF @ 25V
功率_最大:51W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

FQPF6N80T详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.95 欧姆 @ 1.65A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:51W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

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