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当前位置:网站首页 » 库存索引316 » 型号"FQA8N80C"的供应信息

FQA8N80C 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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FQA8N80C详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 4.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 25V
功率_最大:220W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P
包装:管件

FQA8N80C_F109详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 4.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 25V
功率_最大:220W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3PN
包装:管件

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