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FDZ4670S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3845pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-FLFBGA(30 位置)
- 供应商设备封装:20-FLFBGA(3.5x4.0)
- 包装:带卷 (TR)
FDZ4670S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3845pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-FLFBGA(30 位置)
- 供应商设备封装:20-FLFBGA(3.5x4.0)
- 包装:剪切带 (CT)
FDZ4670S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3845pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-FLFBGA(30 位置)
- 供应商设备封装:20-FLFBGA(3.5x4.0)
- 包装:Digi-Reel®
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- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC MPU SUPERVISOR SOT23-6
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