FDV302P_NB8V001的供应信息|PDF资料|求购FDV302P

FDV302P_NB8V001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.31nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：Digi-Reel®

FDV302P_NB8V001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.31nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

FDV302P_NB8V001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.31nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

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