FDU8880详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:58A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 35A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 15V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
- 晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 25.000MHZ 18PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 95.3K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 0.022UF 50V 1% NP0 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF 49US
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000MHZ 18PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.87M OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 10K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 0.022UF 50V 2% NP0 2225
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 18PF SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000MHZ 18PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.02 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 4.99K OHM 1/8W .1% 0805 SMD