FDS6299S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3880pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
- 磁性 - 位置,近程,速度(模块) Honeywell Sensing and Control 桶状,塑料外壳,法兰安装 IC SENSR 83.25MM HALL GEAR TOOTH
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 680UH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6A SHEET 320X320X0.3MM W/ADH
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
- 磁性 - 位置,近程,速度(模块) Honeywell Sensing and Control 桶状,塑料外壳,法兰安装 IC SENSOR 40MM HALL GEAR TOOTH
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 680UH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM
- 拨动开关 CW Industries 径向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK