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FDJ129P 全国供应商、价格、PDF资料

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FDJ129P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC75-6 FLMP
供应商设备封装:SC-75
包装:Digi-Reel®

FDJ129P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC75-6 FLMP
供应商设备封装:SC-75
包装:带卷 (TR)

FDJ129P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC75-6 FLMP
供应商设备封装:SC-75
包装:剪切带 (CT)

FDJ129P_F077详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC75-6 FLMP
供应商设备封装:SC-75
包装:带卷 (TR)

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