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FDG6301N 全国供应商、价格、PDF资料

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FDG6301N详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:220mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9.5pF @ 10V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:剪切带 (CT)

FDG6301N详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:220mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9.5pF @ 10V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:Digi-Reel®

FDG6301N详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:220mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9.5pF @ 10V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)

FDG6301N_D87Z详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:220mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9.5pF @ 10V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)

FDG6301N_F085详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:220mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9.5pF @ 10V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)

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