当前位置:网站首页 » 库存索引807 » 型号"FDG312P"的供应信息

FDG312P 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

FDG312P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 10V
功率_最大:480mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)

FDG312P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 10V
功率_最大:480mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:Digi-Reel®

FDG312P详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 10V
功率_最大:480mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:剪切带 (CT)

FDG312P供应商

查看更多FDG312P的供应商