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» 型号"FCP1913H823J-E4"的供应信息
FCP1913H823J-E4 全国供应商、价格、PDF资料
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FCP1913H823J-E4详细规格
类别:薄膜
描述:CAP FILM 0.082UF 50VDC 1913
系列:FCP
制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
电容:0.082µF
额定电压_AC:-
额定电压_DC:50V
电介质材料:聚苯硫醚(PPS)
容差:±5%
ESR(等效串联电阻):-
工作温度:-55°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1913(4833 公制)
尺寸/尺寸:0.189" L x 0.130" W(4.80mm x 3.30mm)
高度_座高(最大):-
端子:焊盘
引线间隔:-
特点:高频和高稳定性
应用:-
包装:带卷 (TR)
FCP1913H823J-E4详细规格
类别:薄膜
描述:CAP FILM 0.082UF 50VDC 1913
系列:FCP
制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
电容:0.082µF
电压_额定:
容差:±5%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1913(4833 公制)
工作温度:-55°C ~ 125°C
特点:高频和高稳定性
包装:带卷 (TR)
尺寸/尺寸:0.189" L x 0.130" W(4.80mm x 3.30mm)
高度_座高(最大):-
FCP1913H823J-E4供应商
FCP1913H823J-E4
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
FCP1913H823J-E4
北京人上科技有限公司
13910052844(微
FCP1913H823J-E4
北京显周科技有限公司
13910052844(微
FCP1913H823J-E4
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多FCP1913H823J-E4的供应商
FAD1-08032EBMW12
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FDMC2674
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
MCR01MRTJ100
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 10 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
MAX1005CEE+
RF 其它 IC 和模块 Maxim Integrated 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC UNDERSAMPLER IF 16-QSOP
FCP1913H563J-E2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 0.056UF 50VDC 1913
MAL203838102E3
电容器 Vishay BC Components 1000UF 63V 16X25 85C 3500H
FDMC3612
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FAD1-08038CBHW12
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MAX1029BEEP+T
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MCR01MRTJ102
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 1.0K OHM 1/16W 5% 0402 SMD
MAL203838221E3
电容器 Vishay BC Components 220UF 63V 10X16 85C 3500H
FDMC510P
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-MLP,MicroFET? MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
MCR10EZHJ512
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FAD1-09225CBAW11
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