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» 型号"FCN1913H563J-E2"的供应信息
FCN1913H563J-E2 全国供应商、价格、PDF资料
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FCN1913H563J-E2详细规格
类别:薄膜
描述:CAP FILM 0.056UF 50VDC 1913
系列:FCN
制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
电容:0.056µF
电压_额定:
容差:±5%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1913(4833 公制)
工作温度:-55°C ~ 105°C
特点:通用
包装:带卷 (TR)
尺寸/尺寸:0.189" L x 0.130" W(4.80mm x 3.30mm)
高度_座高(最大):0.063"(1.60mm)
FCN1913H563J-E2详细规格
类别:薄膜
描述:CAP FILM 0.056UF 50VDC 1913
系列:FCN
制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
电容:0.056µF
额定电压_AC:-
额定电压_DC:50V
电介质材料:聚乙烯(PEN)
容差:±5%
ESR(等效串联电阻):-
工作温度:-55°C ~ 105°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1913(4833 公制)
尺寸/尺寸:0.189" L x 0.130" W(4.80mm x 3.30mm)
高度_座高(最大):0.063"(1.60mm)
端子:焊盘
引线间隔:-
特点:通用
应用:-
包装:带卷 (TR)
FCN1913H563J-E2供应商
FCN1913H563J-E2
北京人上科技有限公司
13910052844(微
FCN1913H563J-E2
北京显周科技有限公司
13910052844(微
FCN1913H563J-E2
上海熠富电子科技有限公司
15026993318 /
查看更多FCN1913H563J-E2的供应商
MCR10EZHF3740
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 374 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MCP4911-E/SN
数据采集 - 数模转换器 Microchip Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) DAC 10BIT SGL W/SPI 8SOIC
FCN1913G222J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 2200PF 400VDC 1913
MAX3095CPE+
接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 16-DIP(0.300",7.62mm) IC RCVR QUAD RS422/485 16-DIP
MCR004YZPF6652
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 01005(0402 公制) RES 66.5K OHM 1/32W 1% 0402 SMD
M85049/76-10W02
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LM3S8738-EQC50-A2
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MCR10EZHF3833
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 383K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MAX16055FAUB+T
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M85049/82-12N03
圆形 - 配件 Amphenol Industrial Operations BACKSHELL BANDING SZ 12 NICKEL
MAX3095CSE+T
接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC RS485/422 RX 10MBPS 16-SOIC
MCR004YZPF7322
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 01005(0402 公制) RES 73.2K OHM 1/32W 1% 0402 SMD
LM3S8938-EQC50-A2T
嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LQFP IC ARM CORTEX MCU 256KB 100LQFP
MAX16055IAUB+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC MPU SUPERVISOR HEX 10MSOP
MCR10EZHF3901
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.90K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
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