ESR18EZPF82R0 全国供应商、价格、PDF资料
ESR18EZPF82R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 82.0 OHM 1/3W 1% 1206 SMD
- 系列:ESR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:82
- 功率333W444:0.333W,1/3W
- 成分:厚膜
- 特性:脉冲耐受
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:Digi-Reel®
ESR18EZPF82R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 82.0 OHM 1/3W 1% 1206 SMD
- 系列:ESR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:82
- 功率333W444:0.333W,1/3W
- 成分:厚膜
- 特性:脉冲耐受
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:剪切带 (CT)
ESR18EZPF82R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 82.0 OHM 1/3W 1% 1206 SMD
- 系列:ESR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:82
- 功率333W444:0.333W,1/3W
- 成分:厚膜
- 特性:脉冲耐受
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 392 OHM 1/3W 1% 1206 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 180 OHM 1W 1% 2010 SMD
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015R/X 3"
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNTHESIZER LVPECL 32-VFQFPN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 7.87K OHM 1/3W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 182 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 187K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC FREQ SYNTHESIZER 32VFQFN
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048S/X 3"
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 10 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 187 OHM 1W 1% 2010 SMD
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP